加工定制:是
适用范围:在基底上实现氮化铝、氮化镁、氮镓铟、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、铝氮镓铟（AlGaInN）等
起订:1台
供应:99台
| 加工定制 | 是 |
|---|---|
| 适用范围 | 在基底上实现氮化铝、氮化镁、氮镓铟、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、铝氮镓铟（AlGaInN）等 |
| 产品别名 | 真空镀膜 |
| 电镀电源 | 双脉冲电源 |
| 电镀位置 | 膜层的外延生长 |
| 镀种 | 真空镀膜 |
| 镀膜材质 | 其他超硬功能性金属膜 |
| 镀膜原理 | 溅射镀膜 |
| 品牌 | ** |
| 型号 | MOCVD |
1 设备用途
MOCVD系统是有机金属化合物半导体薄膜材料研究和生产的手段，利用该设备可以在基底上实现氮化铝、氮化镁、氮镓铟、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、铝氮镓铟（AlGaInN）等膜层的外延生长。
2 设备描述2.1外观描述 整机外观由计算机控制柜、气路柜、沉积柜、电源柜及尾气处理五部分组成。。
1、计算机控制柜配有工业控制机、显示屏、RcmoDAQ-8000系列工业数据转换模块及以三菱PLC为核心的气路电气控制系统，并配有USB和读写光驱等数据交换接口；
2、气路柜下部配有四套可PID自动调控的MO源恒温水（油）浴箱；上部是以MKS质量流量控制器为主的进口气路管、气动阀及器件组成的工艺气路控制系统，和电控气动转换组件；后部为气瓶摆放区和动力气源处理组件。该柜配有易燃易爆气体泄漏检测传感器。上楣板安装其他辅助气路的流量显示仪表。
3、沉积柜为设备制成主体，该柜上部安装有沉积室和进样预处理室两个真空室及一部用于真空制备系统和样品传递系统操作的触摸屏；下部主要为真空制备系统。上楣板安装真空显示仪表和压强控制器。
4、电源柜装有各自独立的总控电源、分子泵电源、样品台加热电源、烘烤照明电源等等离子清洗电源和射频电源，以及样品台旋转电机的控制。
5、尾气处理部分由尾气燃烧装置、尾气中和吸收装置组成，应与机械泵、干泵、循环水箱等噪音污染源同置一室，并与设备主体隔离。
该MOCVD系统主要由进样室、真空沉积室、真空制备系统、气体流量控制与输送系统、真空腔压强检测与控制系统、高温高速样品台及控制系统、匀气喷淋罩、射频等离子源及电源、计算机操作控制系统、尾气处理及安全保护报警等系统组成。
整个系统运行在工业控制计算机及PLC监控之下，控制界面友好美观，智能化程度高，根据工艺条件对质量流量计、MO源的温度、气体的输运、各气路阀门的开关等进行可编程控制；并对质量流量计参数、工作气路阀门的动作顺序进行编程，并在运行过程中以时间为单位对MO源的温度、气体流量、样品的温度、工作压强等进行实时记录，以便于对实验数据的整理和分析。在工业控制计算机控制的同时也可用触摸屏对真空制备系统和样品传递系统进行近距离控制和调整操作。
样品传递由计算机和触摸屏控制的电动机械传递杆完成，可将进样室储存的4块样品，依次在样品库、预处理样品台、沉积样品台之间传递；样品可在样品室进行表面等离子清洗，以及采用磁控溅射方式进行镀膜，保证了样品表面的清洁和工艺性的要求。
沉积室极限真空度： ≤1×10-5 Pa
沉积室真空漏率： ≤5Pa（停机24小时时）
沉积样品**大尺寸： φ4"（φ102mm）（均匀度按φ2"验收）
样品加热温度： 室温~1100℃±1℃，连续可调
样品转速： 700转/分（控制精度1％）连续可调
进样室极限真空度： ≤2×10-5 Pa
进样室真空漏率： ≤5Pa（停机24小时时）
样品加热温度： 室温~1100℃±1℃，连续可调
样品装载数量： 4件
设备占地面积： 8.5米X4.5米
电源制式： 380V三相五线制
电源总功率： 25KW
气源压力： 0.6~0.8MPa/
供气量： 0.2m3/min
环境湿度： ≤75％
工作环境温度： 10℃～30℃
